收藏本站
Si7170DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
10
0.015
0.012
I D = 15 A
1
0.1
0.01
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.009
0.006
0.003
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.001
0.000
0.0
0.2 0.4 0.6 0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
0.6
0.3
0.0
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 0.3
- 0.6
- 0.9
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10
1
1 ms
10 ms
100 m s
1s
10 s
0.1
DC
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 69981
S11-1650-Rev. C, 15-Aug-11
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7172DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 25A PPAK 8SOIC
SI7196DP-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
SI7216DN-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 40V PPAK 1212-8
SI7222DN-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 40V 1212-8 PPAK
SI7228DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7230DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
SI7272DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7326DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V PWRPAK 1212-8
相关代理商/技术参数
SI7172DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 25A 96W 70mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7174DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
SI7174DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 75V 60A 104W 7.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7178DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 60A 104W 14mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7186DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI7186DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 80V 32A 64W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7186DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 80V 32A 64W 12.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7190DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 250V 18.4A 96W 118mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube